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TFSS三相栅极驱动器

    三相栅极驱动器 IC 专为高压、高速应用而设计,能够驱动 N 沟道 MOSFET 和 IGBT。TF Semiconductor 的高压工艺使三相栅极驱动器的高压侧能够在自举操作中切换至 600V。

    逻辑输入与标准 TTL 和 CMOS 电平兼容,可轻松与控制设备连接,并启用低电平以在高噪声环境中更好地发挥作用。驱动器输出具有专为最小化驱动器交叉传导而设计的高脉冲电流缓冲器。

    型号目录封装规格驱动配置驱动通道数负载类型是否隔离电源电压峰值灌电流峰值拉电流上升时间下降时间特性工作温度
    TF2366M-TGH栅极驱动ICSOIC-20三相/半桥6MOSFET/IGBT非隔离10V-20V650mA350mA50ns30ns三相半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF2388M-TGH栅极驱动ICSOIC-20三相/半桥6MOSFET/IGBT非隔离10V-20V650mA350mA50ns30ns三相半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF2136M-TLH栅极驱动ICSOIC-28三相/半桥6MOSFET/IGBT非隔离10V-20V350mA200mA90ns35ns三相半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF21364M-TLH栅极驱动ICSOIC-28三相/半桥6MOSFET/IGBT非隔离10V-20V350mA200mA90ns35ns三相半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF23892M-TLH栅极驱动ICSOIC-28三相/半桥6MOSFET/IGBT非隔离10V-20V650mA350mA40ns25ns三相半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C