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TFSS 半桥栅极驱动器
半桥栅极驱动器提供高电压和高速度，能够驱动 N 沟道 MOSFET 和 IGBT。TF Semiconductor 的高压工艺使半桥栅极驱动器的高侧能够在自举操作中切换到 600V。
逻辑输入与标准 TTL 和 CMOS 电平兼容，可轻松与控制设备连接。驱动器输出具有专为最小化驱动器交叉传导而设计的高脉冲电流缓冲器。内部死区时间保护高压 MOSFET。
| 型号 | 目录 | 封装规格 | 驱动配置 | 驱动通道数 | 负载类型 | 是否隔离 | 电源电压 | 峰值灌电流 | 峰值拉电流 | 上升时间 | 下降时间 | 特性 | 工作温度 |
| TF2003M-TAH | 栅极驱动IC | SOIC-8 | 半桥 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 600mA | 290mA | 70ns | 35ns | 半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
| TF2103M-TAH | 栅极驱动IC | SOIC-8 | 半桥 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 600mA | 290mA | 70ns | 35ns | 半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
| TF2104M-TAH | 栅极驱动IC | SOIC-8 | 半桥 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 600mA | 290mA | 70ns | 35ns | 半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
| TF2184-TAH | 栅极驱动IC | SOIC-8 | 半桥 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 2.3A | 1.9A | 40ns | 20ns | 半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
| TF2184M-TAH | 栅极驱动IC | SOIC-8 | 半桥 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 2.3A | 1.9A | 40ns | 20ns | 半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
| TF21844M-TUH | 栅极驱动IC | SOIC-14 | 半桥 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 2.3A | 1.9A | 40ns | 20ns | 半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
| TF2304M-TAH | 栅极驱动IC | SOIC-8 | 半桥 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 600mA | 290mA | 70ns | 35ns | 半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
| TF21084-TUH | 栅极驱动IC | SOIC-14 | 半桥 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 600mA | 200mA | 100ns | 35ns | 半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
| TF2183M-TAH | 栅极驱动IC | SOIC-8 | 半桥 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 2.3A | 1.9A | 40ns | 20ns | 半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
| TF21834M-TUH | 栅极驱动IC | SOIC-14 | 半桥 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 2.3A | 1.9A | 40ns | 20ns | 半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
