高侧/低侧栅极驱动器是高压、高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器。高端驱动器具有浮动电源,可在高达 600V 的电压下工作。高侧和低侧驱动器之间的传播延迟匹配允许高频操作。
逻辑输入与标准 CMOS 电平兼容,而驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器,专为最小化驱动器交叉传导而设计。
型号 | 目录 | 封装规格 | 驱动配置 | 驱动通道数 | 负载类型 | 是否隔离 | 电源电压 | 峰值灌电流 | 峰值拉电流 | 上升时间 | 下降时间 | 特性 | 工作温度 |
TF0211C-USQ | 栅极驱动IC | SOT-23-5L | 低边 | 1 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 4.5V-18V | 1.8A | 1.9A | 15ns | 15ns | 高速 ,低边栅极驱动器; VCC电压范围: 4.5V-18V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
TF0211E-USQ | 栅极驱动IC | SOT-23-5L | 低边 | 1 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 4.5V-18V | 1.8A | 1.9A | 15ns | 15ns | 高速 ,低边栅极驱动器; VCC电压范围: 4.5V-18V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
TF0215-USQ | 栅极驱动IC | SOT-23-5L | 低边 | 1 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 4.5V-18V | 1.8A | 1.9A | 15ns | 15ns | 高速 ,低边栅极驱动器; VCC电压范围: 4.5V-18V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
TF0216-USQ | 栅极驱动IC | SOT-23-5L | 低边 | 1 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 4.5V-18V | 1.8A | 1.9A | 15ns | 15ns | 高速 ,低边栅极驱动器; VCC电压范围: 4.5V-18V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
TF0227-TAH | 栅极驱动IC | SOIC-8 | 双低边 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 4.0A | 4.0A | 20ns | 20ns | 高速双低边栅极驱动器; VCC电压范围: 4.5V-18V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
TF2005M-TAH | 栅极驱动IC | SOIC-8 | 高低边 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 600mA | 290mA | 100ns | 35ns | 高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
TF2101M-TAH | 栅极驱动IC | SOIC-8 | 高低边 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 600mA | 290mA | 70ns | 35ns | 高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
TF2106M-TAH | 栅极驱动IC | SOIC-8 | 高低边 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 600mA | 290mA | 100ns | 35ns | 高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
TF21064M-TUH | 栅极驱动IC | SOIC-14 | 高低边 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 600mA | 290mA | 100ns | 35ns | 高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
TF2110M-TEH | 栅极驱动IC | SOIC-16W | 高低边 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 2.5A | 2.5A | 15ns | 13ns | 高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
TF2110-3BS | 栅极驱动IC | DIP-14 | 高低边 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 2.5A | 2.5A | 15ns | 13ns | 高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
TF2113M-TEH | 栅极驱动IC | SOIC-16W | 高低边 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 2.5A | 2.5A | 15ns | 13ns | 高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
TF2113-3BS | 栅极驱动IC | PDIP-14 | 高低边 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 2.5A | 2.5A | 15ns | 13ns | 高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
TF2181M-TAH | 栅极驱动IC | SOIC-8 | 高低边 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 2.3A | 1.9A | 40ns | 20ns | 高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
TF21814-TUH | 栅极驱动IC | SOIC-14 | 高低边 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 2.3A | 1.9A | 40ns | 20ns | 高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
TF2190M-TAH | 栅极驱动IC | SOIC-8 | 高低边 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 4.5A | 4.5A | 25ns | 20ns | 高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
TF21904M-TUH | 栅极驱动IC | SOIC-14 | 高低边 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 4.5A | 4.5A | 25ns | 20ns | 高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
TF2117-TAH/ | 栅极驱动IC | SOIC-8 | 高边 | 1 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 600mA | 290mA | 75ns | 35ns | 高边栅极驱动器; VCC电压范围: 4.5V-18V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |
TF2011M-TAH | 栅极驱动IC | SOIC-8 | 高低边 | 2 | MOSFET/IGBT | 非隔离 | 10V-20V | 1.0A | 1.0A | 30ns | 30ns | 高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱. | -40°C to +125°C |