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TFSS高侧/低侧栅极驱动器产品组合TF0211C,TF0227, TF2101M, TF2106M,TF2181M


    高侧/低侧栅极驱动器是高压、高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器。高端驱动器具有浮动电源,可在高达 600V 的电压下工作。高侧和低侧驱动器之间的传播延迟匹配允许高频操作。

    逻辑输入与标准 CMOS 电平兼容,而驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器,专为最小化驱动器交叉传导而设计。

    型号目录封装规格驱动配置驱动通道数负载类型是否隔离电源电压峰值灌电流峰值拉电流上升时间下降时间特性工作温度
    TF0211C-USQ栅极驱动ICSOT-23-5L低边1MOSFET/IGBT非隔离4.5V-18V1.8A1.9A15ns15ns高速 ,低边栅极驱动器; VCC电压范围: 4.5V-18V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF0211E-USQ栅极驱动ICSOT-23-5L低边1MOSFET/IGBT非隔离4.5V-18V1.8A1.9A15ns15ns高速 ,低边栅极驱动器; VCC电压范围: 4.5V-18V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF0215-USQ栅极驱动ICSOT-23-5L低边1MOSFET/IGBT非隔离4.5V-18V1.8A1.9A15ns15ns高速 ,低边栅极驱动器; VCC电压范围: 4.5V-18V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF0216-USQ栅极驱动ICSOT-23-5L低边1MOSFET/IGBT非隔离4.5V-18V1.8A1.9A15ns15ns高速 ,低边栅极驱动器; VCC电压范围: 4.5V-18V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF0227-TAH栅极驱动ICSOIC-8双低边2MOSFET/IGBT非隔离10V-20V4.0A4.0A20ns20ns高速双低边栅极驱动器; VCC电压范围: 4.5V-18V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF2005M-TAH栅极驱动ICSOIC-8高低边2MOSFET/IGBT非隔离10V-20V600mA290mA100ns35ns高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF2101M-TAH栅极驱动ICSOIC-8高低边2MOSFET/IGBT非隔离10V-20V600mA290mA70ns35ns高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF2106M-TAH栅极驱动ICSOIC-8高低边2MOSFET/IGBT非隔离10V-20V600mA290mA100ns35ns高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF21064M-TUH栅极驱动ICSOIC-14高低边2MOSFET/IGBT非隔离10V-20V600mA290mA100ns35ns高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF2110M-TEH栅极驱动ICSOIC-16W高低边2MOSFET/IGBT非隔离10V-20V2.5A2.5A15ns13ns高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF2110-3BS栅极驱动ICDIP-14高低边2MOSFET/IGBT非隔离10V-20V2.5A2.5A15ns13ns高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF2113M-TEH栅极驱动ICSOIC-16W高低边2MOSFET/IGBT非隔离10V-20V2.5A2.5A15ns13ns高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF2113-3BS栅极驱动ICPDIP-14高低边2MOSFET/IGBT非隔离10V-20V2.5A2.5A15ns13ns高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF2181M-TAH栅极驱动ICSOIC-8高低边2MOSFET/IGBT非隔离10V-20V2.3A1.9A40ns20ns高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF21814-TUH栅极驱动ICSOIC-14高低边2MOSFET/IGBT非隔离10V-20V2.3A1.9A40ns20ns高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF2190M-TAH栅极驱动ICSOIC-8高低边2MOSFET/IGBT非隔离10V-20V4.5A4.5A25ns20ns高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF21904M-TUH栅极驱动ICSOIC-14高低边2MOSFET/IGBT非隔离10V-20V4.5A4.5A25ns20ns高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C

    TF2117-TAH/
    TF2118-TAH

    栅极驱动ICSOIC-8高边1MOSFET/IGBT非隔离10V-20V600mA290mA75ns35ns高边栅极驱动器; VCC电压范围: 4.5V-18V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C
    TF2011M-TAH栅极驱动ICSOIC-8高低边2MOSFET/IGBT非隔离10V-20V1.0A1.0A30ns30ns高低边栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETsIGBTs预驱.-40°C to +125°C